Subventions et des contributions :
Titre :
Tests avancés de fiabilité électrothermique des dispositifs MOSFET GaN
Numéro de l’entente :
1032693
Valeur d'entente :
50 000,00 $
Date d'entente :
1 juil. 2025 - 31 déc. 2025
Description :
Le projet proposé permettra de faire progresser la plateforme de fonderie GaN MOSFET de TransEON vers une commercialisation complète en poursuivant la caractérisation électrothermique intensive des dispositifs pour un fonctionnement RF haute puissance, avec pour objectif ultime d’atteindre les mesures de fiabilité critiques requises pour les circuits intégrés prêts à l’emploi.
Organisation :
Conseil national de recherches Canada
Résultats prévus :
Le PARI, par le biais des Contributions aux entreprises, vise à appuyer la recherche, le développement, l’adaptation et/ou l’adoption au Canada de produits, de services ou de processus novateurs ou axés sur des technologies nouvelles ou améliorées, et ce jusqu’à leur commercialisation
Location :
Edmonton, Alberta, CA T5N 1E1
Numéro de référence :
172-2025-2026-Q2-1032693
Type d'entente :
contribution
Type de rapport :
Subventions et des contributions
Numéro d'entreprise du bénéficiaire :
761594688
Recipient Type:
organisme à but lucratif
Nom légal du bénéficiaire :
TransEON Inc.
Circonscription fédérale :
Edmonton-Centre
Numéro de la circonscription fédérale :
48014
Programme :
Programme d’aide à la recherche industrielle – Contributions aux entreprises
But du programme :
Le PARI, par le biais des Contributions aux entreprises, vise à appuyer la recherche, le développement, l’adaptation et/ou l’adoption au Canada de produits, de services ou de processus novateurs ou axés sur des technologies nouvelles ou améliorées, et ce jusqu’à leur commercialisation
Domaine :
Les projets des Contributions aux entreprises stimulent la création de richesse au Canada grâce à l’innovation technologique.
Identificateur du SCIAN :
334410